根據計劃，這種技術有望在2027年前完成原型設計，并在2030年前實現(xiàn)商業(yè)化。如果成功， Saimemory希望通過這種替代產品，搶占至少日本數(shù)據中心的市場份額。近日消息，軟銀與英特爾合作研發(fā)新型AI內存芯片，旨在通過創(chuàng)新技術顯著降低功耗，從而推動AI數(shù)據中心的能效提升和綠色計算發(fā)展。
據悉，雙方計劃開發(fā)一種新型堆疊式DRAM芯片，其設計不同于現(xiàn)有的高帶寬內存（HBM），預計可將電力消耗減少約50%。這一技術突破對于應對AI計算中日益增長的能源需求和降低運營成本具有重要意義。
負責該研發(fā)項目的是軟銀與英特爾新成立的公司 Saimemory。其中，軟銀作為主要出資方，負責資金支持和戰(zhàn)略規(guī)劃，而英特爾則提供技術專利和設計經驗，東京大學等高校則貢獻了相關研究成果。Saimemory 將主要專注于芯片的設計工作以及專利管理，而芯片的制造環(huán)節(jié)則將交由外部代工廠負責。這種分工模式有助于充分發(fā)揮各方的優(yōu)勢，提高研發(fā)效率。
Saimemory 的項目目標是開發(fā)一種堆疊式DRAM技術，通過優(yōu)化布線方式和連接技術，顯著提升能效比。這種新型內存芯片將被用于AI訓練數(shù)據中心，以滿足海量數(shù)據處理的高算力需求。
當前，HBM市場主要由韓國SK海力士和三星電子主導，但其生產技術面臨良率低、成本高、能耗大等問題，導致日本企業(yè)難以獲得穩(wěn)定供應。
同時，自1980年代失去70%以上的DRAM市場份額后，日本最后一家DRAM制造商爾必達于2013年破產后被美光科技收購。軟銀希望通過此次合作，開發(fā)出一種替代HBM的堆疊式DRAM解決方案，推動日本重返全球內存芯片供應國之列。
此外，軟銀還考慮與臺積電等半導體制造商合作，以確保產能和技術創(chuàng)新。此前，該公司還斥資6.76億美元收購夏普LCD工廠，擬在大阪建設150兆瓦級AI數(shù)據中心，以深化與OpenAI的合作關系并完善其AI基礎設施戰(zhàn)略布局。
根據計劃，這種技術有望在2027年前完成原型設計，并在2030年前實現(xiàn)商業(yè)化。如果成功， Saimemory希望通過這種替代產品，搶占至少日本數(shù)據中心的市場份額。
在資金投入上，整體投資預計達到100億日元（約合5億元人民幣）。其中，軟銀作為主要投資方，出資30億日元（現(xiàn)匯率約合1.5億元人民幣）。日本理化學研究所與神港精機也在考慮從資金或技術方面參與到該項目中。
當前，日本政府也在積極推動人工智能技術的發(fā)展，提供財政支持。該項目方還計劃申請政府支持，以進一步推動項目的順利開展。
責編：Jimmy.zhang
