三星電子考慮解散1c DRAM良率專項小組 拼年內量產HBM4

據一位熟悉三星電子內部消息人士10月15日透露，三星電子正積極考慮解散致力于提升10nm級第六代（1c）DRAM良率的特別工作組，轉而專注于年內實現下一代高帶寬存儲器HBM4的量產。這一決定反映了三星迫切致力于在年內優先為英偉達量產HBM4的承諾。

該特別工作組由存儲業務部門的核心人員組成，旨在提升下一代DRAM的良率，是在去年全永鉉副董事長上任后成立的，目前擁有400至500名員工。

10納米級DRAM制程技術的發展順序如下：1x（第一代）、1y（第二代）、1z（第三代）、1a（第四代）和1b（第五代）。隨著制程進展到第六代（1c），線寬不斷變窄，工藝難度呈指數級增長，容量和性能也隨之提升。

變數在于，由于工藝難度高，提高1c DRAM的良率面臨困難。據報道，三星電子目前正在開發的HBM4用1c DRAM在冷測試（Cold Test）中未能達到50%的良率。要達到通常被認為是量產標準的60%的良率并開始內部量產審批（PRA）工藝，還需要相當長的時間。冷測試是一種可靠性測試，通過在極低溫度環境下運行芯片來驗證電路的電氣特性和穩定性。

三星電子原計劃在第三季度完成HBM4 1c DRAM的PRA流程。然而，最近有報道稱，該公司已跳過這一流程，直接著手建立HBM4的量產體系。

SK海力士于9月建立了全球首個HBM4量產系統，并采用1b DRAM作為其HBM4的“核心芯片”。而三星電子則采用了下一代1c DRAM。作為一家尋求重大變革的后來者，三星電子的這一決定理論上可以實現更快、更節能的產品。

一位熟悉該公司的消息人士解釋說：“三星電子管理層認為，如果他們能夠在DRAM良率較低的情況下，提供比競爭對手更好的HBM4性能，他們就能改變目前由SK海力士主導的市場格局。這解釋了他們采取‘精選與專注’戰略的原因，甚至冒著解散負責提高1c DRAM良率的工作組的風險，以加速HBM4的量產。”

但有業內人士指出：“管理層只注重進入英偉達供應鏈，而忽視良率提升的策略，很容易導致盈利能力和市場競爭力的喪失。”（校對/趙月）