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杰盛微LM317L系列 100mA 可調(diào)式三端正電壓穩(wěn)壓器

在電子設(shè)備的 “心臟” 部位，總有一顆默默守護(hù)的芯片 —— 穩(wěn)壓器。作為深耕半導(dǎo)體領(lǐng)域的國(guó)家級(jí)高新技術(shù)企業(yè)，杰盛微半導(dǎo)體（JSMSEMI）始終以 “精準(zhǔn)供電，穩(wěn)定護(hù)航” 為使命，今天我們要向大家隆重介紹自主研發(fā)的明星產(chǎn)品：LM317L 系列 100mA 可調(diào)式三端正電壓穩(wěn)壓器。這款凝聚著杰盛微核心技術(shù)的產(chǎn)品，憑借 1.25V~37V 寬電壓調(diào)節(jié)范圍、1% 高精度輸出及三重保護(hù)機(jī)制，已成為消費(fèi)電子、網(wǎng)絡(luò)通信、工業(yè)控制等領(lǐng)域的可靠之選。

2025-09-17 861 關(guān)鍵詞：杰盛微半導(dǎo)體 LM317L 可調(diào)式三端正電壓穩(wěn)壓器穩(wěn)壓器應(yīng)用輸出電壓計(jì)算
合科泰 MOS 管：為您解讀規(guī)格書(shū)連續(xù)電流 ID 的計(jì)算方法

連續(xù)電流ID的計(jì)算是一個(gè)綜合考慮多個(gè)因素的過(guò)程。合科泰憑借其先進(jìn)的技術(shù)和嚴(yán)格的生產(chǎn)工藝，生產(chǎn)出的MOS管在連續(xù)電流ID等參數(shù)上表現(xiàn)出色，能夠滿(mǎn)足不同客戶(hù)在各種應(yīng)用場(chǎng)景下的需求。無(wú)論是對(duì)于電子工程師進(jìn)行電路設(shè)計(jì)，還是電子愛(ài)好者進(jìn)行DIY項(xiàng)目，合科泰的MOS管都是一個(gè)值得信賴(lài)的選擇。

2025-09-17 821 關(guān)鍵詞： MOS管連續(xù)電流ID 熱阻芯片功耗合科泰
合科泰 MOS 管：以?xún)?yōu)化策略提升開(kāi)關(guān)速度與電路效率

在開(kāi)關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和新能源逆變器等應(yīng)用中，MOS管的開(kāi)關(guān)速度和電路效率直接影響整體性能和能耗。而MOS管的開(kāi)關(guān)速度與電路效率，它們之間有著怎樣的關(guān)聯(lián)，合科泰又是如何通過(guò)多項(xiàng)技術(shù)創(chuàng)新對(duì)MOS管進(jìn)行優(yōu)化的呢？提升MOS管的這兩個(gè)關(guān)鍵指標(biāo)，助力工程師實(shí)現(xiàn)更高能效的設(shè)計(jì)。

2025-09-17 868 關(guān)鍵詞： MOS管開(kāi)關(guān)速度電路效率合科泰 MOS管優(yōu)化技術(shù)
二極管的反向恢復(fù)時(shí)間：原理、影響及合科泰解決方案

在開(kāi)關(guān)電源、高頻整流和逆變器等電路中，二極管的反向恢復(fù)時(shí)間直接關(guān)系到系統(tǒng)效率、EMI表現(xiàn)甚至可靠性。合科泰通過(guò)芯片設(shè)計(jì)與工藝創(chuàng)新，為市場(chǎng)提供了反向恢復(fù)時(shí)間性能優(yōu)異的二極管產(chǎn)品。那么，什么是二極管的反向恢復(fù)時(shí)間？它會(huì)產(chǎn)生哪些影響？合科泰又是如何應(yīng)對(duì)這一問(wèn)題的呢？

2025-09-17 672
高壓二極管應(yīng)用中，是否有足夠銅箔/散熱片，結(jié)溫是否接近極限？

在半導(dǎo)體器件的可靠性設(shè)計(jì)中，溫度始終是一個(gè)繞不開(kāi)的話題。無(wú)論是功率二極管、TVS 管還是高壓二極管，其壽命與結(jié)溫（Tj）有著直接關(guān)系。客戶(hù)常常會(huì)問(wèn)：我的電路中參數(shù)都選對(duì)了，為什么二極管仍然失效？作為 MDD辰達(dá)半導(dǎo)體 FAE，我們往往會(huì)追溯到一個(gè)核心問(wèn)題——是否有足夠銅箔/散熱片支撐散熱，器件結(jié)溫是否已經(jīng)接近極限。

2025-09-17 687
RY2201 Cell Li-ion and Li-poly Battery Protection IC

The RY2201 is a high integration solution for lithium-ion/polymer battery protection. RY2201 contains internal power MOSFET, high-accuracy voltage detection circuits and delay circuits. RY2201 has all the protection functions required in the battery application including overcharging, over discharging, overcurrent and load short circuiting protection etc. The accurate overcharging detection voltage ensures safe and full utilization charging.

2025-09-17 505
深?lèi)?ài)半導(dǎo)體全新推出600V IPM：多領(lǐng)域高效能源轉(zhuǎn)換核心深?lèi)?ài)半導(dǎo)體全新推出600V IPM：多領(lǐng)域高效能源轉(zhuǎn)換核心深?lèi)?ài)半導(dǎo)體全新推出600V IPM：多領(lǐng)域高效能源轉(zhuǎn)換核心

深?lèi)?ài)半導(dǎo)體最新推出的SICXXN60CDR系列600V三相智能功率模塊（IPM），是我們面向中高功率能源轉(zhuǎn)換市場(chǎng)的重要戰(zhàn)略產(chǎn)品。該系列產(chǎn)品秉承深?lèi)?ài)在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的技術(shù)優(yōu)勢(shì)，并在集成度、可靠性、熱管理及系統(tǒng)保護(hù)等維度實(shí)現(xiàn)了全面突破，充分體現(xiàn)了我們對(duì)市場(chǎng)趨勢(shì)和客戶(hù)需求的深刻洞察。該系列的推出，標(biāo)志著深?lèi)?ài)半導(dǎo)體在智能功率模塊領(lǐng)域的又一次重要進(jìn)步，將進(jìn)一步鞏固我們?cè)诠β拾雽?dǎo)體市場(chǎng)的技術(shù)領(lǐng)先地位和品牌影響力。我們將始終以客戶(hù)需求為核心，持續(xù)推動(dòng)產(chǎn)品與技術(shù)創(chuàng)新，為全球客戶(hù)提供更高效、更可靠的能源轉(zhuǎn)換解決方案。

2025-09-17 1203
NP3401 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

The NP3401MR uses advanced trench technologyto provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications.

2025-09-17 450
NP4407SR 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

The NP4407 uses advanced trench technologyand design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in load switch and batteryprotection applications.

2025-09-17 441
NP8205MR 20V Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET

The NP8205MR-S uses advanced trenchtechnology to provide excellent RDS(ON), low gatecharge and operation with gate voltages as low as2.5V. This device is suitable for use as a Batteryprotection or in other Switching application

2025-09-17 442