MJD127T4G-HXY_TO-252_三極管(BJT)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252 類別：三極管(BJT) 最小包裝：2500圓盤參數1：晶體管類型: PNP 參數2：集電極電流(Ic): 8A 參數3：集射極擊穿電壓(Vceo): 100V 參數4：功率(Pd): 1.5W 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

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描述: 此款達林頓管采用TO-252-2L封裝，是一款高性能PNP型雙極功率晶體管。擁有100V的集射極擊穿電壓（Vceo）及8A的最大集電極電流（Ic），額定功率耗散為1.5W。其具有超低飽和電壓，在8A集電極電流和80mA基極電流時，VCE(sat)僅為4V，確保高效能運行。此外，該器件在4A/4V條件下提供出色的直流電流增益，hFE范圍介于1000至12000之間。適用于通用放大器設計以及低速開關應用場合，以其卓越的電氣參數與穩定性能，滿足各類中高功率電路需求。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

MJD127T4G-HXY_TO-252_三極管(BJT)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252 類別：三極管(BJT) 最小包裝：2500圓盤 參數1：晶體管類型: PNP 參數2：集電極電流(Ic): 8A 參數3：集射極擊穿電壓(Vceo): 100V 參數4：功率(Pd): 1.5W 標價：歡迎咨詢

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