FDD5353_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤參數1：N溝道參數2：VDSS/60.0V 參數3：ID/50.0A 參數4：RDON/11.0mR 標價：歡迎咨詢

分享到

產品介紹

-------<點擊了解更多 + 購買>-------

這款MOS管型號為FDD5353 ，采用先進的TO-252-2L封裝技術，屬于高性能N溝道MOSFET器件。其擁有高達60V的漏源極電壓額定值和強大的50A連續漏極電流能力，確保了在大電流環境下的穩定工作。導通電阻僅為11mΩ，有效降低了功率損耗，提升系統能效，特別適用于各類開關電源、電機驅動及電池管理系統等高要求應用場景。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

FDD5353_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤 參數1：N溝道 參數2：VDSS/60.0V 參數3：ID/50.0A 參數4：RDON/11.0mR 標價：歡迎咨詢

分享到

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤參數1：N溝道參數2：VDSS/60.0V 參數3：ID/50.0A 參數4：RDON/11.0mR 標價：歡迎咨詢