IRFR3709ZPBF_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤參數1：N溝道參數2：VDSS/30.0V 參數3：ID/80.0A 參數4：RDON/5.0mR 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

IRFR3709ZPBF 是一款采用TO-252-2L封裝的高性能N溝道MOS管，專為高效能、大電流應用設計。該器件具有30V的最大漏源電壓VDSS，能夠承載高達80A的連續漏極電流ID，確保在高壓、大電流環境下穩定工作。其突出優勢在于導通電阻RD(on)僅為5.5mΩ，有效降低功率損耗，提高能源利用率。IRFR3709ZPBF MOS管廣泛適用于電源轉換、電機驅動等高功率場合，以其卓越的性能表現成為眾多電子設計的理想之選。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

IRFR3709ZPBF_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤 參數1：N溝道 參數2：VDSS/30.0V 參數3：ID/80.0A 參數4：RDON/5.0mR 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤參數1：N溝道參數2：VDSS/30.0V 參數3：ID/80.0A 參數4：RDON/5.0mR 標價：歡迎咨詢