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              NTD4858N_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

              品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:TO-252-2L 類別:場效應管(MOSFET) 最小包裝:2500圓盤 參數1:N溝道 參數2:VDSS/30.0V 參數3:ID/80.0A 參數4:RDON/5.0mR 標價:歡迎咨詢

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              NTD4858N 是一款高性能N溝道MOSFET,采用標準TO-252-2L封裝,適合于廣泛的電源管理和功率轉換應用。它具備30V的最大漏源電壓VDSS,并能承載高達80A的連續漏極電流ID,確保在高功率狀態下穩定運行。此外,該器件的核心優勢在于其超低的導通電阻RD(on)僅為5.5mΩ,有效減小系統功耗,提升整體效率。NTD4858N MOS管是電機驅動、開關電源及其他大電流場景的理想選擇,以其卓越性能助力實現高效、穩定的電路設計。

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