FDD6670A_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/80.0A 參數(shù)4：RDON/5.0mR 標(biāo)價：歡迎咨詢

分享到

產(chǎn)品介紹

-------<點擊了解更多 + 購買>-------

FDD6670A 是一款N溝道MOS管，采用TO-252-2L封裝，適用于各類大電流、高效率應(yīng)用。該器件具有30V的漏源電壓VDSS，可承載高達(dá)80A的連續(xù)漏極電流ID，確保在高功率系統(tǒng)中穩(wěn)定工作。其獨(dú)特優(yōu)勢在于極低的導(dǎo)通電阻RD(on)僅為5.5mΩ，有效減少功率損失，提升系統(tǒng)效能。是電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動等高功率場景的理想選擇，以卓越性能賦能現(xiàn)代電子設(shè)備的高效設(shè)計。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

FDD6670A_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/80.0A 參數(shù)4：RDON/5.0mR 標(biāo)價：歡迎咨詢

分享到

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/80.0A 參數(shù)4：RDON/5.0mR 標(biāo)價：歡迎咨詢