FDD6612A_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤參數1：N溝道參數2：VDSS/30.0V 參數3：ID/20.0A 參數4：RDON/15.0mR 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

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FDD6612A 是一款高性能N溝道MOSFET，采用TO-252-2L封裝技術，專為處理大電流和高功率應用設計。該器件具有30V的最大漏源電壓(VDSS)，并能承載高達20A的連續漏極電流，確保卓越的電力傳輸性能。其導通電阻RD(on)僅為15mΩ，極大地提高了能源效率，降低了系統損耗。廣泛應用在電源轉換、電機驅動、大電流開關控制等場合，是追求高效率、大電流應用的優質半導體元件選擇。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

FDD6612A_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤 參數1：N溝道 參數2：VDSS/30.0V 參數3：ID/20.0A 參數4：RDON/15.0mR 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤參數1：N溝道參數2：VDSS/30.0V 參數3：ID/20.0A 參數4：RDON/15.0mR 標價：歡迎咨詢