FDD3706_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/20.0V 參數(shù)3：ID/40.0A 參數(shù)4：RDON/7.5mR 標(biāo)價：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

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FDD3706 是一款N溝道MOS管，采用經(jīng)典TO-252-2L封裝，適合多種電子應(yīng)用。器件支持20V的最大漏源電壓(VDSS)，并能提供高達(dá)40A的連續(xù)漏極電流(ID)，展現(xiàn)優(yōu)良的電流承載能力。其導(dǎo)通電阻(RD(on))僅為7.5mΩ，有效減小功耗，提升系統(tǒng)能效，特別適用于電源轉(zhuǎn)換、電機驅(qū)動、負(fù)載開關(guān)等需要高效低阻抗的電路設(shè)計。該MOS管憑借高性能與通用性成為工程師們的理想選擇。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

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FDD3706_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/20.0V 參數(shù)3：ID/40.0A 參數(shù)4：RDON/7.5mR 標(biāo)價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/20.0V 參數(shù)3：ID/40.0A 參數(shù)4：RDON/7.5mR 標(biāo)價：歡迎咨詢