AOD21357_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤參數(shù)1：P溝道參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/80.0A 參數(shù)4：RDON/6.5mR 標(biāo)價：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

AOD21357 P溝道MOS管采用標(biāo)準(zhǔn)TO-252-2L封裝，具有優(yōu)良的散熱性能與廣泛的適用性。器件工作電壓VDSS高達30V，可承載80A的強勁連續(xù)漏極電流ID，充分展現(xiàn)其強大的電流處理能力。特別值得關(guān)注的是，其內(nèi)部導(dǎo)通電阻RD(on)僅為6.5mΩ，這使得它在運行過程中能夠顯著減少功率損耗，提高系統(tǒng)能效。AOD21357 MOS管適用于各類高壓大電流應(yīng)用領(lǐng)域，如電源轉(zhuǎn)換、電機驅(qū)動等，是高效率、低功耗半導(dǎo)體解決方案的理想選擇。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

AOD21357_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤 參數(shù)1：P溝道 參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/80.0A 參數(shù)4：RDON/6.5mR 標(biāo)價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤參數(shù)1：P溝道參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/80.0A 參數(shù)4：RDON/6.5mR 標(biāo)價：歡迎咨詢