FQD13N10L_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/100.0V 參數(shù)3：ID/15.0A 參數(shù)4：RDON/100.0mR 標價：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

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FQD13N10L N溝道MOS管采用TO-252-2L封裝，適用于100V高電壓環(huán)境下的中等電流應用。該器件具有100V的最大漏源電壓(VDSS)和15A的連續(xù)漏極電流(ID)，在高電壓系統(tǒng)中展現(xiàn)出穩(wěn)定可靠的性能。其導通電阻RD(on)為100mR，雖非超低阻值，但在滿足中等電流需求的同時，保證了良好的性價比。廣泛應用于電源轉換、電機驅動、電池管理等方面，是追求綜合性能與成本控制的理想半導體器件。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

FQD13N10L_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/100.0V 參數(shù)3：ID/15.0A 參數(shù)4：RDON/100.0mR 標價：歡迎咨詢

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