NTD2955_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤參數(shù)1：P溝道參數(shù)2：VDSS/60.0V 參數(shù)3：ID/10.0A 參數(shù)4：RDON/125.0mR 標(biāo)價：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

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NTD2955 是一款采用TO-252-2L封裝的高性能P溝道MOSFET，專為高功率密度和高效能電子設(shè)備設(shè)計。具備60V的最大耐壓值(VDSS)，可承載高達10A的連續(xù)電流(ID)，并且在常態(tài)下導(dǎo)通電阻僅125mR(RD(on))，有效減少功率損耗，增強系統(tǒng)能效。此款MOS管結(jié)構(gòu)緊湊，性能優(yōu)越，是理想的電源開關(guān)、轉(zhuǎn)換器以及各類中低壓電路的理想選擇。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

NTD2955_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤 參數(shù)1：P溝道 參數(shù)2：VDSS/60.0V 參數(shù)3：ID/10.0A 參數(shù)4：RDON/125.0mR 標(biāo)價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤參數(shù)1：P溝道參數(shù)2：VDSS/60.0V 參數(shù)3：ID/10.0A 參數(shù)4：RDON/125.0mR 標(biāo)價：歡迎咨詢