IPD042P03L3G_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤參數1：P溝道參數2：VDSS/30.0V 參數3：ID/120.0A 參數4：RDON/3.7mR 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

IPD042P03L3G 是一款高性能P溝道MOSFET，采用散熱良好的TO-252-2L封裝，專為大電流應用設計。器件提供30V的額定電壓VDSS，可承載高達120A的連續電流ID，彰顯其卓越的電力處理能力。其獨特的3.7mΩ導通電阻RD(on)設計，確保了在高電流下仍能維持極低功耗，提升系統效率。廣泛應用于電源轉換、電池管理系統以及大電流負載開關等場景，是您實現高功率、高效能半導體解決方案的理想選擇。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

IPD042P03L3G_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤 參數1：P溝道 參數2：VDSS/30.0V 參數3：ID/120.0A 參數4：RDON/3.7mR 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤參數1：P溝道參數2：VDSS/30.0V 參數3：ID/120.0A 參數4：RDON/3.7mR 標價：歡迎咨詢