ST36N10D_TO-252-2L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/100.0V 參數(shù)3：ID/30.0A 參數(shù)4：RDON/35.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

ST36N10D 是一款高性能N溝道MOSFET，采用經(jīng)典的TO-252-2L封裝，專為大電流、高電壓應(yīng)用設(shè)計(jì)。該器件提供100V的耐壓能力和30A的連續(xù)電流處理性能，尤其適合于電源轉(zhuǎn)換、馬達(dá)驅(qū)動(dòng)等高強(qiáng)度作業(yè)環(huán)境。其導(dǎo)通電阻低至35mΩ，有效降低了功耗并提升了整體系統(tǒng)效率。選擇ST36N10D MOS管，意味著選擇了穩(wěn)定、高效、大電流應(yīng)用的最佳半導(dǎo)體解決方案。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠國際大廈2013-2014

ST36N10D_TO-252-2L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/100.0V 參數(shù)3：ID/30.0A 參數(shù)4：RDON/35.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/100.0V 參數(shù)3：ID/30.0A 參數(shù)4：RDON/35.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢