PHD71NQ03LT_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤參數1：N溝道參數2：VDSS/30.0V 參數3：ID/50.0A 參數4：RDON/7.5mR 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

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PHD71NQ03LT 是一款高性能N溝道MOSFET，采用經濟高效的TO-252-2L封裝，專為高電流應用設計。其主要特性包括工作電壓VDSS高達30V，具備強勁的電流承載能力，最大連續電流ID高達50A；并且具備極低的導通電阻RD(on)僅為7.5mR，從而確保在大電流操作時保持高效能與低發熱。此款MOS管適用于電源轉換、電機驅動、儲能系統以及各類高功率開關應用，是提高系統性能與可靠性的理想半導體組件。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

PHD71NQ03LT_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤 參數1：N溝道 參數2：VDSS/30.0V 參數3：ID/50.0A 參數4：RDON/7.5mR 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤參數1：N溝道參數2：VDSS/30.0V 參數3：ID/50.0A 參數4：RDON/7.5mR 標價：歡迎咨詢