PSMN3R4-30BLE_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤參數1：N溝道參數2：VDSS/30.0V 參數3：ID/120.0A 參數4：RDON/3.0mR 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

PSMN3R4-30BLE N溝道MOS管采用先進的TO-252-2L封裝，旨在優化空間利用并提升散熱性能。本器件額定漏源電壓(VDSS)為30V，最大連續漏極電流(ID)高達120A，可輕松應對大電流應用場景。其獨特優勢在于極低的導通電阻RD(on)，僅為3mΩ，確保在工作狀態下減少能耗，提高整體系統效率。廣泛應用于開關電源、馬達驅動、LED照明等領域，是高效能、低功耗解決方案的理想之選。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

PSMN3R4-30BLE_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤 參數1：N溝道 參數2：VDSS/30.0V 參數3：ID/120.0A 參數4：RDON/3.0mR 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤參數1：N溝道參數2：VDSS/30.0V 參數3：ID/120.0A 參數4：RDON/3.0mR 標價：歡迎咨詢