IRFR8314PBF_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤參數1：N溝道參數2：VDSS/30.0V 參數3：ID/150.0A 參數4：RDON/2.0mR 標價：歡迎咨詢

分享到

產品介紹

-------<點擊了解更多 + 購買>-------

IRFR8314PBF N溝道MOS管，采用TO-252-2L封裝，專為高性能電源管理和電機驅動應用設計。器件能在30V的最大漏源電壓(VDSS)下運行，并能處理高達150A的連續漏極電流(ID)，展現出強大的電流處理能力。其關鍵特性在于極低的導通電阻RD(on)僅為2mΩ，這將大幅度降低系統內部損耗，提升整體效率，成為開關電源、逆變器、充電設備等領域的理想半導體元件選擇。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

<nav id="vpjdq"></nav>

IRFR8314PBF_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤 參數1：N溝道 參數2：VDSS/30.0V 參數3：ID/150.0A 參數4：RDON/2.0mR 標價：歡迎咨詢

分享到

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤參數1：N溝道參數2：VDSS/30.0V 參數3：ID/150.0A 參數4：RDON/2.0mR 標價：歡迎咨詢