DMP6180SK3Q_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤參數(shù)1：P溝道參數(shù)2：VDSS/60.0V 參數(shù)3：ID/20.0A 參數(shù)4：RDON/55.0mR 標價：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

DMP6180SK3Q 是一款高性能P溝道MOSFET，采用TO-252-2L封裝，適用于大電流應(yīng)用場合。該器件具備60V的漏源耐壓(VDSS)，并能支持高達20A的連續(xù)漏極電流(ID)，其突出特點在于超低的導(dǎo)通電阻RD(on)僅為55mR，確保在大電流工況下依然維持高效能和低功耗表現(xiàn)。廣泛應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換、電池管理系統(tǒng)、逆變器和電機驅(qū)動等眾多領(lǐng)域，是高功率應(yīng)用的理想選擇。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

DMP6180SK3Q_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤 參數(shù)1：P溝道 參數(shù)2：VDSS/60.0V 參數(shù)3：ID/20.0A 參數(shù)4：RDON/55.0mR 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤參數(shù)1：P溝道參數(shù)2：VDSS/60.0V 參數(shù)3：ID/20.0A 參數(shù)4：RDON/55.0mR 標價：歡迎咨詢