SI7114DN-T1-E3_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤參數1：N溝道參數2：VDSS/30.0V 參數3：ID/60.0A 參數4：RDON/6.0mR 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

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SI7114DN-T1-E3 是一款N溝道MOSFET，采用緊湊型DFN3X3-8L封裝，專為高功率密度和高效能應用設計。器件具備30V的漏源電壓(VDSS)，在低至6mR的導通電阻(RD(on))條件下，可承載高達60A的漏極電流(ID)。廣泛應用于開關電源、大功率充電器等場景，憑借其卓越的電流處理能力和能效表現，成為您優化系統性能和節能的重要半導體元件。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

SI7114DN-T1-E3_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤 參數1：N溝道 參數2：VDSS/30.0V 參數3：ID/60.0A 參數4：RDON/6.0mR 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤參數1：N溝道參數2：VDSS/30.0V 參數3：ID/60.0A 參數4：RDON/6.0mR 標價：歡迎咨詢