ST2305_SOT-23_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數(shù)1：P溝道參數(shù)2：VDSS/20.0V 參數(shù)3：ID/3.0A 參數(shù)4：RDON/60.0mR 標(biāo)價：歡迎咨詢

分享到

產(chǎn)品介紹

ST2305 是一款P溝道MOSFET，采用緊湊型SOT-23封裝，特別適用于低電壓、低功耗應(yīng)用場合。器件提供20V的最大漏源電壓VDSS，支持高達3A的連續(xù)漏極電流ID，確保在低壓系統(tǒng)中穩(wěn)定可靠運行。其導(dǎo)通電阻RD(on)低至60mΩ，有助于減少功率損耗，提升系統(tǒng)能效比。ST2305 MOS管是電池供電設(shè)備、電源開關(guān)控制、負載驅(qū)動等領(lǐng)域的理想選擇，以出色的性能和小型化封裝服務(wù)于各類電子設(shè)計項目。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

ST2305_SOT-23_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤 參數(shù)1：P溝道 參數(shù)2：VDSS/20.0V 參數(shù)3：ID/3.0A 參數(shù)4：RDON/60.0mR 標(biāo)價：歡迎咨詢

分享到

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數(shù)1：P溝道參數(shù)2：VDSS/20.0V 參數(shù)3：ID/3.0A 參數(shù)4：RDON/60.0mR 標(biāo)價：歡迎咨詢