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              Si2312BDS-T1-E3_SOT-23_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
              
                       
                        
              
                            品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子)
                                                        封裝：SOT-23
                                                        類別：場效應管(MOSFET)
                                                        最小包裝：3000圓盤
                                                        參數1：N溝道
                                                        參數2：VDSS/20.0V
                                                        參數3：ID/3.0A
                                                        參數4：RDON/23.0mR
                                                        標價：歡迎咨詢
                        
              
                        
              
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              產品介紹
              
                
              
                    
              -------<點擊了解更多 + 購買>-------
              Si2312BDS-T1-E3 是一款高性能N溝道MOSFET，采用小型化SOT-23封裝，專為高效能、低功耗電路設計。該器件提供20V的最大漏源電壓(VDSS)，可穩定承載3A的漏極電流(ID)，并具備出色的23mΩ導通電阻(RD(on))，確保了良好的能源轉換效率。廣泛應用于電源管理、負載開關、電池管理系統等場景，是構建小型化、節能型電子設備的優秀半導體組件。


                              
              
            
              
            
              
                
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