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              Si2374DS-T1-GE3_SOT-23_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

              品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:SOT-23 類別:場效應管(MOSFET) 最小包裝:3000圓盤 參數1:N溝道 參數2:VDSS/20.0V 參數3:ID/3.0A 參數4:RDON/23.0mR 標價:歡迎咨詢

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              Si2374DS-T1-GE3 是一款高性能N溝道MOSFET,采用緊湊型SOT-23封裝,專為高效率和小型化電子設備設計。該器件提供20V的最大漏源電壓(VDSS),可承載3A的連續漏極電流(ID),并具有出色的23mΩ導通電阻(RD(on)),確保了高效能和低功耗表現。廣泛應用于電源管理、負載開關、電池保護等電路中,是打造節能型、緊湊電子解決方案的理想半導體組件。



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