Si2338DS-T1-GE3_SOT-23_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/5.8A 參數(shù)4：RDON/22.0mR 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

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Si2338DS-T1-GE3 是一款N溝道MOSFET，采用緊湊型SOT-23封裝，尤其適合于高密度電路設計。器件提供30V的最大漏源電壓(VDSS)，具備強大的電流承載能力，可持續(xù)處理5.8A漏極電流(ID)，且在導通狀態(tài)下具有極低的22mR導通電阻(RD(on))，有效提升了功率轉換效率。此款MOS管廣泛應用于開關電源、電機驅動、以及其他高功率電子設備中，助力實現(xiàn)高效能、低損耗的系統(tǒng)方案。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
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Si2338DS-T1-GE3_SOT-23_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/5.8A 參數(shù)4：RDON/22.0mR 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/5.8A 參數(shù)4：RDON/22.0mR 標價：歡迎咨詢