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              SI2309CDS-T1-GE3_SOT-23_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
              
                       
                        
              
                            品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子)
                                                        封裝：SOT-23
                                                        類別：場效應管(MOSFET)
                                                        最小包裝：3000圓盤
                                                        參數1：P溝道
                                                        參數2：VDSS/60.0V
                                                        參數3：ID/2.0A
                                                        參數4：RDON/160.0mR
                                                        標價：歡迎咨詢
                        
              
                        
              
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              產品介紹
              
                
              
                    
              -------<點擊了解更多 + 購買>-------
              SI2309CDS-T1-GE3 是一款P溝道MOSFET，采用小巧的SOT-23封裝，適用于空間緊湊的高效電路設計。該器件具備60V的漏源電壓額定值(VDSS)，能在160mR(RD(on))的導通電阻下穩定傳遞2A漏極電流(ID)。廣泛應用于電源管理、電池保護電路、負載開關等場景，憑借其出色的電壓耐受力與良好的電流控制特性，成為您提升系統效能和可靠性的理想半導體組件。


                              
              
            
              
            
              
                
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