PMV213SN_SOT-23_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/100.0V 參數(shù)3：ID/2.0A 參數(shù)4：RDON/220.0mR 標價：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

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PMV213SN N溝道MOS管采用緊湊型SOT-23封裝，提供出色的封裝密度和熱性能。該器件具有100V的高耐壓VDSS，可穩(wěn)定處理2A的漏極電流ID，適合于低壓大電流應用。其導通電阻RD(on)為220mΩ，確保了較低的傳導損耗和較高的能效轉(zhuǎn)化率。這款MOS管廣泛應用于電源開關(guān)、負載驅(qū)動、電池保護等領(lǐng)域，是兼顧尺寸、性能和可靠性的理想半導體元件選擇。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

PMV213SN_SOT-23_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/100.0V 參數(shù)3：ID/2.0A 參數(shù)4：RDON/220.0mR 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/100.0V 參數(shù)3：ID/2.0A 參數(shù)4：RDON/220.0mR 標價：歡迎咨詢