VN2110_SOT-23_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：SOT-23 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤(pán) 參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/100.0V 參數(shù)3：ID/0.2A 參數(shù)4：RDON/2800.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

VN2110 N溝道MOS管采用小型SOT-23封裝形式，具有優(yōu)良的焊接性和空間利用率。該器件額定電壓VDSS高達(dá)100V，適用于高壓小電流應(yīng)用環(huán)境，可提供0.2A的穩(wěn)定漏極電流ID。其導(dǎo)通電阻RD(on)為2800mΩ，盡管數(shù)值較大，但依舊適用于某些需要精細(xì)控制和低功率消耗的場(chǎng)景，如信號(hào)切換、電源管理或邏輯電平轉(zhuǎn)換。VN2110 MOS管是適用于特定設(shè)計(jì)需求的理想半導(dǎo)體元件。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014

VN2110_SOT-23_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：SOT-23 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤(pán) 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/100.0V 參數(shù)3：ID/0.2A 參數(shù)4：RDON/2800.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：SOT-23 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤(pán) 參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/100.0V 參數(shù)3：ID/0.2A 參數(shù)4：RDON/2800.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢