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              SQ2362ES-T1_GE3_SOT-23_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
              
                       
                        
              
                            品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子)
                                                        封裝：SOT-23
                                                        類別：場效應管(MOSFET)
                                                        最小包裝：3000圓盤
                                                        參數1：N溝道
                                                        參數2：VDSS/60.0V
                                                        參數3：ID/5.0A
                                                        參數4：RDON/42.0mR
                                                        標價：歡迎咨詢
                        
              
                        
              
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              產品介紹
              
                
              
                    
              SQ2362ES-T1_GE3 是一款N溝道MOSFET，采用小型化SOT-23封裝，專為緊湊型和便攜式電子設備設計。器件可在60V的最大漏源電壓(VDSS)下，提供穩定的5A漏極電流(ID)，特別適用于對空間和功率有一定要求的應用場景。其導通電阻僅為42mΩ，有助于提升系統能效并降低能耗。廣泛應用于電源轉換、負載開關等小型電路中，是高集成度和高性能電子設計的理想選擇。


                              
              
            
              
            
              
                
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