DMP2130L_SOT-23_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數(shù)1：P溝道參數(shù)2：VDSS/20.0V 參數(shù)3：ID/4.2A 參數(shù)4：RDON/48.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

DMP2130L 是一款高性能P溝道MOSFET，采用緊湊型SOT-23封裝設(shè)計(jì)，專為高集成度和低功耗應(yīng)用研發(fā)。其重要特性包括最大工作電壓VDSS為20V，可輕松承載4.2A連續(xù)漏極電流，展現(xiàn)出強(qiáng)大的電流處理能力。器件的導(dǎo)通電阻RD(on)低至48mR，有效減少功率損耗，提升系統(tǒng)能效。DMP2130L MOS管憑借其出色的開關(guān)性能、高電流承載力以及卓越的穩(wěn)定性，廣泛應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換、電池管理、便攜式電子設(shè)備等多元領(lǐng)域，是您設(shè)計(jì)項(xiàng)目的理想半導(dǎo)體組件選擇。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

DMP2130L_SOT-23_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤 參數(shù)1：P溝道 參數(shù)2：VDSS/20.0V 參數(shù)3：ID/4.2A 參數(shù)4：RDON/48.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數(shù)1：P溝道參數(shù)2：VDSS/20.0V 參數(shù)3：ID/4.2A 參數(shù)4：RDON/48.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢