SI2301CDS-T1-GE3_SOT-23_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數1：P溝道參數2：VDSS/20.0V 參數3：ID/2.3A 參數4：RDON/95.0mR 標價：歡迎咨詢

分享到

產品介紹

-------<點擊了解更多 + 購買>-------

SI2301CDS-T1-GE3 是一款高性能P溝道MOSFET，采用緊湊型SOT-23封裝技術，專為低功耗及高集成度設計。其關鍵特性包括工作電壓VDSS高達20V，可承載2.3A連續漏極電流，提供出色的電力管理能力。導通電阻RD(on)僅為95mR，有效減少能源消耗，提升系統能效。SI2301CDS-T1-GE3 MOS管憑借卓越的開關性能、小巧封裝尺寸及高穩定性，廣泛應用于電源開關控制、電池保護、便攜式電子設備等多元化場景，是您優化電路設計的理想半導體元件。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

SI2301CDS-T1-GE3_SOT-23_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤 參數1：P溝道 參數2：VDSS/20.0V 參數3：ID/2.3A 參數4：RDON/95.0mR 標價：歡迎咨詢

分享到

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數1：P溝道參數2：VDSS/20.0V 參數3：ID/2.3A 參數4：RDON/95.0mR 標價：歡迎咨詢