BSS159N_SOT-23_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數1：N溝道參數2：VDSS/60.0V 參數3：ID/0.3A 參數4：RDON/1000.0mR 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

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BSS159N 是一款N溝道MOSFET，采用節省空間的SOT-23-3L封裝，專為高密度電路設計。該器件具有60V的漏源電壓額定值(VDSS)，并能處理0.3A的連續漏極電流(ID)。其導通電阻僅為1000mR，確保在導通狀態下降低功耗，提高能源利用效率。適用于電源轉換、負載開關、電機驅動等應用場合，是實現高性能、低功耗半導體解決方案的理想選擇。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

BSS159N_SOT-23_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤 參數1：N溝道 參數2：VDSS/60.0V 參數3：ID/0.3A 參數4：RDON/1000.0mR 標價：歡迎咨詢

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