Si2301BDS_SOT-23_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：SOT-23 類(lèi)別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤(pán) 參數(shù)1：P溝道參數(shù)2：VDSS/20.0V 參數(shù)3：ID/3.0A 參數(shù)4：RDON/60.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢(xún)

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產(chǎn)品介紹

Si2301BDS 是一款采用SOT-23封裝的小型P溝道MOSFET，專(zhuān)為精密電源管理和便攜式電子設(shè)備設(shè)計(jì)。其特色在于20V的最大工作電壓VDSS，能穩(wěn)定傳輸高達(dá)3A的連續(xù)電流，且導(dǎo)通電阻僅為60mR（RD(on)），實(shí)現(xiàn)了高效能與低功耗的完美結(jié)合。這款MOS管憑借其小巧的體積、優(yōu)良的電氣性能，適用于電池保護(hù)、DC/DC轉(zhuǎn)換器及其他空間有限的電路應(yīng)用。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014

Si2301BDS_SOT-23_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：SOT-23 類(lèi)別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤(pán) 參數(shù)1：P溝道 參數(shù)2：VDSS/20.0V 參數(shù)3：ID/3.0A 參數(shù)4：RDON/60.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢(xún)

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：SOT-23 類(lèi)別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤(pán) 參數(shù)1：P溝道參數(shù)2：VDSS/20.0V 參數(shù)3：ID/3.0A 參數(shù)4：RDON/60.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢(xún)