DMG3418L_SOT-23_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/5.8A 參數(shù)4：RDON/28.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

DMG3418L N溝道MOSFET，采用緊湊型SOT-23封裝技術(shù)，為現(xiàn)代電路設(shè)計(jì)提供了高功率密度解決方案。這款器件具備30V的高額定漏源電壓(VDSS)，并可在導(dǎo)通狀態(tài)下輕松駕馭高達(dá)5.8A的漏極電流(ID)，同時(shí)展現(xiàn)出令人稱贊的低導(dǎo)通電阻，僅為28mR(RD(on))，確保了卓越的能效表現(xiàn)。DMG3418L MOS管廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、高速電機(jī)驅(qū)動(dòng)以及眾多高性能電子系統(tǒng)中，是您構(gòu)建強(qiáng)大而又節(jié)能的電路系統(tǒng)的得力助手。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠國際大廈2013-2014

DMG3418L_SOT-23_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/5.8A 參數(shù)4：RDON/28.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/5.8A 參數(shù)4：RDON/28.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢