Si2300DS-T1-GE3_SOT-23_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數1：N溝道參數2：VDSS/20.0V 參數3：ID/6.0A 參數4：RDON/22.0mR 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

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Si2300DS-T1-GE3 是一款N溝道MOSFET，采用精巧的SOT-23封裝，專為緊湊型電路設計。器件支持20V的最大漏源電壓(VDSS)，并能穩定處理6A的連續漏極電流(ID)，體現卓越的電流承載力。其導通電阻(RD(on))僅有22mΩ，有效減少功率損耗，提高能效表現。廣泛應用于電源轉換、電機驅動、負載開關等領域，是您追求高集成度與低功耗半導體解決方案的理想選擇。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

Si2300DS-T1-GE3_SOT-23_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤 參數1：N溝道 參數2：VDSS/20.0V 參數3：ID/6.0A 參數4：RDON/22.0mR 標價：歡迎咨詢

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