Si2343DS-T1-E3_SOT-23_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數(shù)1：P溝道參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/4.1A 參數(shù)4：RDON/48.0mR 標價：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

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Si2343DS-T1-E3 是一款高性能P溝道MOSFET，采用小型SOT-23封裝，專為高效能和低功耗電路設(shè)計。該器件支持高達30V的漏源電壓(VDSS)，能承載最大4.1A的連續(xù)漏極電流(ID)，且具備48mΩ的導(dǎo)通電阻(RD(on))，確保了卓越的能效和可靠性。廣泛應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換、負載開關(guān)、電池管理系統(tǒng)等領(lǐng)域，是構(gòu)建緊湊、節(jié)能型電子設(shè)備的理想半導(dǎo)體元件。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

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Si2343DS-T1-E3_SOT-23_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤 參數(shù)1：P溝道 參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/4.1A 參數(shù)4：RDON/48.0mR 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數(shù)1：P溝道參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/4.1A 參數(shù)4：RDON/48.0mR 標價：歡迎咨詢