Si2303CDS-T1-GE3_SOT-23_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數1：P溝道參數2：VDSS/30.0V 參數3：ID/4.1A 參數4：RDON/48.0mR 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

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Si2303CDS-T1-GE3 是一款高效P溝道MOSFET，采用小巧的SOT-23封裝，便于在緊湊型電路設計中靈活使用。器件亮點在于擁有30V的最大漏源電壓(VDSS)，可穩定承載4.1A漏極電流(ID)，同時具備48mΩ的導通電阻(RD(on))，確保在低損耗狀態下實現高效能運作。此款MOS管廣泛應用于電源管理、負載開關、電機驅動等各種場景，是您提升系統性能和節能效果的理想選擇。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

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Si2303CDS-T1-GE3_SOT-23_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤 參數1：P溝道 參數2：VDSS/30.0V 參數3：ID/4.1A 參數4：RDON/48.0mR 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數1：P溝道參數2：VDSS/30.0V 參數3：ID/4.1A 參數4：RDON/48.0mR 標價：歡迎咨詢