Si2366DS-T1-GE3_SOT-23_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數1：N溝道參數2：VDSS/30.0V 參數3：ID/4.0A 參數4：RDON/29.0mR 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

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Si2366DS-T1-GE3 是一款N溝道MOSFET，采用緊湊型SOT-23封裝，專為現代精密電子設備設計。器件亮點包括最大工作電壓VDSS高達30V，能穩定輸送4A的漏極電流，滿足高功率需求；導通電阻RD(on)僅為29mΩ，確保低功耗和高效率運作。廣泛應用于電源轉換、電機驅動、電池保護等領域，是您追求高性能與節能方案的理想N溝道MOS管選擇。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

Si2366DS-T1-GE3_SOT-23_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤 參數1：N溝道 參數2：VDSS/30.0V 參數3：ID/4.0A 參數4：RDON/29.0mR 標價：歡迎咨詢

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