DMN3051L_SOT-23_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/4.0A 參數(shù)4：RDON/29.0mR 標價：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

DMN3051L 是一款N溝道MOSFET，采用小巧的SOT-23封裝形式，適宜緊湊型電路布局需求。其關(guān)鍵參數(shù)包括30V的最大漏源電壓(VDSS)，可穩(wěn)定承載4A的連續(xù)漏極電流(ID)，充分滿足中高功率應(yīng)用場景。獨特之處在于其29mΩ的低導(dǎo)通電阻(RD(on))，有助于提高系統(tǒng)效率，減少能耗損失。DMN3051L MOS管以其優(yōu)良的電氣性能，廣泛應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換、負載開關(guān)及各種便攜式電子設(shè)備的電路設(shè)計中。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

DMN3051L_SOT-23_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/4.0A 參數(shù)4：RDON/29.0mR 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/4.0A 參數(shù)4：RDON/29.0mR 標價：歡迎咨詢