NDS355AN_SOT-23_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/4.0A 參數(shù)4：RDON/29.0mR 標(biāo)價：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

NDS355AN是一款N溝道MOSFET，采用精巧的SOT-23封裝，專為現(xiàn)代高集成度電子設(shè)計(jì)打造。該器件在30V的VDSS電壓下運(yùn)行穩(wěn)定，可提供高達(dá)4A的連續(xù)漏極電流，展現(xiàn)強(qiáng)勁電力處理性能。其導(dǎo)通電阻RD(on)僅為29mΩ，極大提高了能源轉(zhuǎn)換效率，降低了系統(tǒng)損耗。適用于電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動、負(fù)載開關(guān)等多種應(yīng)用場景，是兼顧高效能與小型化的理想半導(dǎo)體解決方案。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

NDS355AN_SOT-23_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/4.0A 參數(shù)4：RDON/29.0mR 標(biāo)價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/4.0A 參數(shù)4：RDON/29.0mR 標(biāo)價：歡迎咨詢