PHKD6N02LT_SOP-8_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：SOP-8 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數(shù)1：N+N溝道參數(shù)2：VDSS/20.0V 參數(shù)3：ID/6.0A 參數(shù)4：RDON/21.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

型號(hào)PHKD6N02LT 的MOS管，封裝采用緊湊型SOP-8，特別適合空間有限的設(shè)計(jì)需求。作為一款高性能NN溝道MOS管，其核心參數(shù)出色，額定電壓VDSS高達(dá)20V，連續(xù)電流ID最大可承載6A，展現(xiàn)強(qiáng)大驅(qū)動(dòng)能力。尤為突出的是其超低導(dǎo)通電阻RD(on)，僅為21mΩ，顯著減少功率損耗，提升整體效能。此款MOS管廣泛應(yīng)用于各種電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)控制等高端電子電路中，是工程師實(shí)現(xiàn)高效能解決方案的理想之選。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014

PHKD6N02LT_SOP-8_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：SOP-8 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤 參數(shù)1：N+N溝道 參數(shù)2：VDSS/20.0V 參數(shù)3：ID/6.0A 參數(shù)4：RDON/21.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：SOP-8 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數(shù)1：N+N溝道參數(shù)2：VDSS/20.0V 參數(shù)3：ID/6.0A 參數(shù)4：RDON/21.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢