DMN6066SSD_SOP-8_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOP-8 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數(shù)1：N+N溝道參數(shù)2：VDSS/60.0V 參數(shù)3：ID/6.5A 參數(shù)4：RDON/32.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

分享到

產(chǎn)品介紹

型號(hào)DMN6066SSD 的NN溝道MOS管采用SOP-8封裝，針對(duì)高功率密度和高效能電路設(shè)計(jì)。該器件具備強(qiáng)大性能，最大工作電壓VDSS為60V，連續(xù)電流ID高達(dá)6.5A，適合高壓大電流應(yīng)用環(huán)境。其導(dǎo)通電阻RD(on)低至32mR，有效減少功率損耗，提升系統(tǒng)效率。廣泛應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、電池管理系統(tǒng)等領(lǐng)域，是工程師設(shè)計(jì)高性能、節(jié)能電子設(shè)備的理想MOS管組件。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠國際大廈2013-2014

DMN6066SSD_SOP-8_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOP-8 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤 參數(shù)1：N+N溝道 參數(shù)2：VDSS/60.0V 參數(shù)3：ID/6.5A 參數(shù)4：RDON/32.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

分享到

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOP-8 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數(shù)1：N+N溝道參數(shù)2：VDSS/60.0V 參數(shù)3：ID/6.5A 參數(shù)4：RDON/32.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢