TP86R203NL_SOP-8_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOP-8 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/15.0A 參數(shù)4：RDON/7.5mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

TP86R203NL 是一款高品質(zhì)N溝道MOSFET，采用緊湊型SOP-8封裝工藝，適合于空間有限的電路設(shè)計(jì)。其關(guān)鍵特性包括30V的最大漏源電壓(VDSS)，能夠承載高達(dá)15A的連續(xù)漏極電流(ID)，保證強(qiáng)大的電流處理能力。尤其值得一提的是，此款MOS管具有超低的導(dǎo)通電阻(RD(on))僅7.5mΩ，有效降低功率損耗，提升能源利用率，特別適用于要求嚴(yán)苛的開關(guān)電源、負(fù)載開關(guān)及電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用場合，展現(xiàn)卓越的能效與穩(wěn)定性。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠國際大廈2013-2014

TP86R203NL_SOP-8_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOP-8 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/15.0A 參數(shù)4：RDON/7.5mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOP-8 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/15.0A 參數(shù)4：RDON/7.5mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢