SI4800BDY-T1-GE3_SOP-8_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOP-8 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數1：N溝道參數2：VDSS/30.0V 參數3：ID/8.5A 參數4：RDON/14.0mR 標價：歡迎咨詢

分享到

產品介紹

-------<點擊了解更多 + 購買>-------

SI4800BDY-T1-GE3 N溝道MOSFET采用緊湊型SOP-8封裝，專為高效率電源管理和電機控制設計。該器件擁有30V的最大漏源電壓(VDSS)，能提供高達8.5A的連續電流，且導通電阻低至14mΩ，確保在大電流應用環境下仍然保持卓越的性能和能效。廣泛應用于電源轉換、電機驅動、負載開關等場景，為您的電路設計帶來強大的電流處理能力和杰出的電氣性能表現。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

SI4800BDY-T1-GE3_SOP-8_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOP-8 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤 參數1：N溝道 參數2：VDSS/30.0V 參數3：ID/8.5A 參數4：RDON/14.0mR 標價：歡迎咨詢

分享到

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOP-8 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數1：N溝道參數2：VDSS/30.0V 參數3：ID/8.5A 參數4：RDON/14.0mR 標價：歡迎咨詢