Si4128DY_SOP-8_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOP-8 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/8.5A 參數(shù)4：RDON/14.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

強(qiáng)力推薦這款型號(hào)為Si4128DY 的N溝道MOS管，采用高效能SOP-8封裝，適合各類緊湊型電路設(shè)計(jì)。其卓越性能包括30V的最大耐壓值(VDSS)，高達(dá)8.5A的連續(xù)漏極電流(ID)，以及僅為14mΩ的超低導(dǎo)通電阻(RD(on))，確保了在高電流應(yīng)用下的低功耗和卓越熱性能。無論是電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動(dòng)還是其他電子設(shè)備中，這款MOS管都能展現(xiàn)穩(wěn)定可靠的性能表現(xiàn)。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014

Si4128DY_SOP-8_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOP-8 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/8.5A 參數(shù)4：RDON/14.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOP-8 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/8.5A 參數(shù)4：RDON/14.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢