DMT3020LSD_SOP-8_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOP-8 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數(shù)1：N+N溝道參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/10.0A 參數(shù)4：RDON/14.0mR 標(biāo)價：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

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DMT3020LSD 是一款高性能NN溝道MOSFET，采用緊湊型SOP-8封裝，適用于各類電子設(shè)備。該器件具備30V的漏源耐壓(VDSS)，可承載最大10A的連續(xù)漏極電流(ID)，并具有優(yōu)秀的導(dǎo)通電阻特性，僅為14mΩ(RD(on))，確保在高壓環(huán)境下也能保持高效能與低功耗表現(xiàn)。廣泛應(yīng)用于電源管理、負(fù)載開關(guān)及電機(jī)驅(qū)動系統(tǒng)中，是提高系統(tǒng)效率的理想半導(dǎo)體組件。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

DMT3020LSD_SOP-8_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOP-8 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤 參數(shù)1：N+N溝道 參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/10.0A 參數(shù)4：RDON/14.0mR 標(biāo)價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOP-8 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數(shù)1：N+N溝道參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/10.0A 參數(shù)4：RDON/14.0mR 標(biāo)價：歡迎咨詢