SI4431CDY-T1-GE3_SOP-8_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOP-8 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數1：P溝道參數2：VDSS/30.0V 參數3：ID/6.0A 參數4：RDON/28.0mR 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

SI4431CDY-T1-GE3 是一款P溝道MOSFET，采用SOP-8封裝，適用于空間有限的電路設計。該器件具有30V的漏源電壓(VDSS)，可處理6A的連續漏極電流(ID)，并以其低至28mΩ的導通電阻(RD(on))，在同類產品中展現出優越的能效與低損耗性能。廣泛應用于電源轉換、負載開關、電池管理系統等方面，是提升系統整體效能的理想半導體元件選擇。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

SI4431CDY-T1-GE3_SOP-8_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOP-8 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤 參數1：P溝道 參數2：VDSS/30.0V 參數3：ID/6.0A 參數4：RDON/28.0mR 標價：歡迎咨詢

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