SI9435BDY-T1-E3_SOP-8_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOP-8 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數(shù)1：P溝道參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/6.0A 參數(shù)4：RDON/28.0mR 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

SI9435BDY-T1-E3 是一款P溝道MOSFET，采用緊湊型SOP-8封裝，適用于各種電子設備的高效設計。器件支持30V的漏源電壓(VDSS)，能夠承載6A的連續(xù)漏極電流(ID)，并具備低至28mΩ的導通電阻(RD(on))，確保在開關應用中達到低功耗和高效能。廣泛應用于電源管理、負載開關、電池保護系統(tǒng)等領域，是提升系統(tǒng)性能和節(jié)能效果的理想半導體組件。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

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SI9435BDY-T1-E3_SOP-8_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOP-8 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤 參數(shù)1：P溝道 參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/6.0A 參數(shù)4：RDON/28.0mR 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOP-8 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數(shù)1：P溝道參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/6.0A 參數(shù)4：RDON/28.0mR 標價：歡迎咨詢