STP4435_SOP-8_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOP-8 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數(shù)1：P溝道參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/6.0A 參數(shù)4：RDON/28.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

STP4435 P溝道MOS管采用緊湊且廣泛應(yīng)用的SOP-8封裝，提供卓越的電路集成方案。此款MOS管擁有強(qiáng)大性能額定電壓VDSS高達(dá)30V，可承受持續(xù)的6A漏極電流，確保在各種高負(fù)載條件下穩(wěn)定運(yùn)行。尤其引人注目的是其超低的導(dǎo)通電阻RD(on)，僅28mΩ，有效減少能量損耗，提高能源效率，適合應(yīng)用于電源管理、馬達(dá)驅(qū)動(dòng)等多個(gè)領(lǐng)域。STP4435 MOS管，以其出眾的性能表現(xiàn)和可靠性，為您帶來理想的半導(dǎo)體解決方案。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠國際大廈2013-2014

STP4435_SOP-8_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOP-8 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤 參數(shù)1：P溝道 參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/6.0A 參數(shù)4：RDON/28.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOP-8 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數(shù)1：P溝道參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/6.0A 參數(shù)4：RDON/28.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢