SI9926CDY-T1-GE3_SOP-8_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOP-8 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數1：N+N溝道參數2：VDSS/20.0V 參數3：ID/8.0A 參數4：RDON/13.0mR 標價：歡迎咨詢

分享到

產品介紹

-------<點擊了解更多 + 購買>-------

SI9926CDY-T1-GE3 型號MOS管采用創新NN溝道工藝，封裝在節省空間的SOP-8封裝形式中，專為現代高集成度電子設備設計。在20V額定電壓VDSS下，器件可穩定承載8A的連續漏極電流ID，并配備超低的13mR導通電阻RD(on)，實現高效率與低功耗運行。廣泛應用于電源轉換、負載驅動等領域，是優化系統性能和節能效果的理想半導體器件。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

<var id="lse1t"></var>

SI9926CDY-T1-GE3_SOP-8_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOP-8 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤 參數1：N+N溝道 參數2：VDSS/20.0V 參數3：ID/8.0A 參數4：RDON/13.0mR 標價：歡迎咨詢

分享到

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOP-8 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數1：N+N溝道參數2：VDSS/20.0V 參數3：ID/8.0A 參數4：RDON/13.0mR 標價：歡迎咨詢