IRF7351PBF_SOP-8_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOP-8 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數(shù)1：N+N溝道參數(shù)2：VDSS/60.0V 參數(shù)3：ID/15.0A 參數(shù)4：RDON/12.0mR 標價：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

IRF7351PBF 是一款高性能NN溝道MOSFET，采用緊湊型SOP-8封裝，適用于各種高效能電路設(shè)計。其關(guān)鍵特性包括承受電壓VDSS高達60V，可提供高達15A的連續(xù)漏極電流，確保強勁電力處理能力。尤其獨特的是，其導(dǎo)通電阻RD(on)僅為12mR，顯著降低能耗，提升整體系統(tǒng)能效。IRF7351PBF MOS管憑借其卓越的開關(guān)性能、大電流承載能力和出色的穩(wěn)定性，廣泛應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換、電機驅(qū)動、逆變器系統(tǒng)等多元領(lǐng)域，是您設(shè)計高效率電子產(chǎn)品的理想半導(dǎo)體器件選擇。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

IRF7351PBF_SOP-8_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOP-8 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤 參數(shù)1：N+N溝道 參數(shù)2：VDSS/60.0V 參數(shù)3：ID/15.0A 參數(shù)4：RDON/12.0mR 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOP-8 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數(shù)1：N+N溝道參數(shù)2：VDSS/60.0V 參數(shù)3：ID/15.0A 參數(shù)4：RDON/12.0mR 標價：歡迎咨詢